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一种用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法

  • 发布人:管理员
  • 发布时间:2013-08-14
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申请专利号: CN200410021334.3

本发明属于材料科学与技术领域,涉及到晶体生长科学与技术,尤其是用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法。本发明的特征是用菱镁矿石为原料,以冷坩埚为炉体,先焙烧菱镁矿石,经选别制取三种轻烧氧化镁按比例混合,放入冷坩埚炉体中,采用三相交流电熔法加热,控制升温、恒温和降温曲线,即可获得象水晶一样晶莹剔透高雅大方的立方氧化镁晶体。本发明的效果和益处是其生长方法简单,易于掌握,工艺稳定,是新一代高科技产品。

 

申请日: 2004.03.02

公开公告号: CN1560331

公开公告日: 2005.01.05

主分类号: C30B29/16

分类号: C30B29/16;C30B11/02;C01F5/02

申请专利权人: 大连理工大学

地址: 116024辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

国省代码: 辽宁;21

发明设计人: 王宁会;黄耀;戚栋;范卫东;吴彦

专利代理机构: 大连理工大学专利中心

代理人: 侯明远

 

中国镁质材料网 采编:ZY】


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